收稿 1999 年 4 月 , 收修改稿 1999 年 5 月3 通讯联系人超大规模集成电路硅片溶液清洗技术的进展张树永 3 郭永榔山东大学化学学院 济南 250100曹宝成 于新好山东大学光电子材料与器件研究所及国家电子清洗技术研究推广中心 济南 250100摘 要 本文综述了超大规模集...
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1、购买的一批硅片, p型杂质均匀掺杂浓度为 1016/cm3,电阻率为 5 -cm。硅片清洗后进行热氧化。 在热氧化结束并去除氧化硅后, 发现硅片表层呈 n型, 而体硅仍旧保持为 p型。1)假定热氧化炉没有施主杂质污染,上述现象如何解释2) 下图给出的是在纯硅中的掺杂浓度...
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机电工程技术 2010 年第 39 卷第 08 期小功率光伏系统 MPPT模拟控制电路刘正奇 , 李继东( 海军蚌埠士官学校 , 安徽蚌埠 233012)收稿日期 2010 - 02- 06摘要 由于安装条件所限 , 一些特殊场合无法安装大功率太阳能电池 , 采用最大功率点跟踪技术可以在太阳..
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太阳能电池等效电路图 1.1是利用 P/N结光生伏特效应做成的理想光电池的等效电路图,图中把光照下的 p-n结看作一个理想二极管和恒流源并联,恒流源的电流即为光生电流 IL, RL为外负载。 IL的能力通过 p-n结的结电流 Ij用二极管表示。 这个等效电路的物理意义是 太阳...
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1、将硅单晶棒制成硅片的过程包括哪些工艺答包括切断、滚磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、检验。2、切片可决定晶片的哪四个参数 / 答切片决定了硅片的四个重要参数晶向、厚度、斜度、翘度和平行度。3、 硅单晶研磨清洗的重要性。答 硅片清洗的重要...
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第二次作业1. ( 1)随着 MOS 器件尺寸不断缩小,栅氧化层的厚度也必须同时减薄。在此情况下,请问 MOS 器件对 Na+的玷污的敏感度是增加了还是降低了,为什么( 2) 在栅氧化层厚度不断减薄的情况下, 对于硅片衬底的掺杂 (或者器件沟道区的阈值电压的调整注入) ...
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思考题1、 将硅单晶棒制作成硅片包括哪些工序切断、滚磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、检验 。2、 切片可决定晶片的哪四个参数晶向、厚度、斜度、翘度和平行度。3、 硅单晶片研磨后为何要清洗硅片清洗的重要性硅片表面层原子因垂直切片方向的化学键...
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思考题将硅单晶棒制作成硅片包括哪些工序切片可决定晶片的哪四个参数硅单晶片研磨后为何要清洗硅片表面吸附杂质的存在形态有哪些对这些形态按何种顺序进行清洗硅片研磨及清洗后为何要进行化学腐蚀腐蚀方法有哪些CMP 包括哪 2 个动力学过程控制参数有哪些集成电路制造...
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摘 要 介绍了 Boost 电路的工作原理 , 详细解析了利用其实现最大功率跟踪 ( MPPT ) 的理论依据 ,给出了适用于 MPP T 控制的 Boost 电路参数选择方法和改进方案 。 对所述变换电路进行 Multisim 软件仿真研究和实际电路调试 , 并验证了理论分析 、 设计方法和改..
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1第一章 绪论1.1 光伏发电背景与意义作为一种重要的可再生能源发电技术,近年来,太阳能光伏Photovoltaie,PV 发电取得了巨大的发展,光伏并网发电已经成为人类利用太阳能的主要方式之一。目前,我国已成为世界最大的太阳能电池和光伏组件生产国,年产量已达到100万...
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