第二章扩散工艺作业1、 1000℃时在硅片中进行磷的预淀积扩散,直到磷的固溶度极限。扩散时间为20 分钟。预淀积后,硅片表面被密封并在 1100℃下做推进扩散。为获得 4.0μ m的结深,推进时间应为多少假设衬底浓度为 1017 cm-3。推进后表面浓度是多少 (已知 1000℃时...
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太阳能电池硼扩散工艺1. 准备工作1. 光刻间坚膜烘箱开启,参数 120℃;2. 预设定硼扩散炉温度为 950℃;3.1HF 配制,参数 HF H2O15,360mL;4.2HF 配制,参数 HF H2O110,440mL;5. 清洗干净聚四氟乙烯架、石英烧杯和小石英舟各一套,烘干备用。6. 预设定
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2.2.2 扩散制结制结过程是在一块基体材料上生成导电类型不同的扩散层,它和制结前的表面处理均是电池制造过程中的关键工序。制结方法有热扩散,离子注入,外延,激光及高频电注入法等。本节主要介绍热扩散法。扩散是物质分子或原子运动引起的一种自然现象, 热扩散制...
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晶体硅扩散工艺研究摘要 本文主要介绍利用 POCl3 液态源法对单晶体硅片进行扩散, 扩散后测其方块电阻以及结深。 假设硅片的结深已经确定的情况下, 研究扩散温度和扩散时间之间的关系, 以便找到扩散工艺中最合适的扩散温度、 时间, 在不影响硅片质量的前提下,缩...
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扩散工艺常见质量问题及分析一、硅片表面不良1、表面合金点。形成表面合金点的主要原因是表面浓度过高。( 1) 预淀积时携带源的气体流量过大。如 CVD 预淀积时源的浓度过高,液态源预淀积时通源的气体流量过大或在通气时发生气体流量过冲;( 2) 源温过高,使扩散...
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实验题目硅片的扩散技术一、 实验目的1. 了解扩散设备的工作原理和操作方法,明确扩散技术在半导体器件制造工艺中的作用。2. 掌握扩散技术的原理和工艺方法。二、 实验设备、材料和用具扩散源、石英器皿、恒温扩散炉图 1 恒温扩散炉扩散技术目的在于控制半导体中特定...
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广东工业大学实验报告学院 专业 班 成绩评定学号 姓名 ( 号) 教师签名预习情况 操作情况 考勤情况 数据处理情况半导体器件实验 题目 硼扩散工艺 第 周 星期一、 实验目的1. 了解基区扩散;2. 熟悉硼扩散工艺;3. 了解热扩散炉的结构及操作。二、 实验原理扩散是微...
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48 所扩散过程中问题解决方案问题 原因 解决方法扩散不到1.炉门没关紧,有源被抽风抽走。2.携带气体大氮量太少, 不能将源带到管前。3.管口抽风太大。1.由设备人员将炉门重新定位, 确保石英门和石英管口很好贴合。2.增大携带气体大氮的流量。3.将石英门旁边管口抽风...
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岗位理想人员配置HP扩散前清洗 3HP扩散上下片 10SE氧化前清洗 1SE氧化上下片 3去 PSG清洗 3职责与要求1、负责及时从制绒传递窗拿取硅片,保证 HP-4-5-6 均匀硅片按照标识摆放,随工单插在晶片盒中间,不得叠在一起推车不得从 SCHMID靠墙处通过2、每次拿取硅片时,负...
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光为绿色新能源有限公司1/6 保密级别文件种类文件编号编制部门编制徐英乾审核 批准 管理100WM扩散工艺作业指导书1 目的在制绒后的 p 型硅片基体 硼掺杂 表面扩散磷原子, 形成结深为 0.3 - 0.5μ m的 p- n 结。2 适用100MW电池生产线扩散工序。3 定义无4 责任与...
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电 子 工 业 专 用 设 备Equipment for Electronic Products ManufacturingE P E( 总第 148 期)May. 20071 引 言自上世纪末至本世纪初以来, 由于化石燃料的日趋枯竭, 造成能源形势日趋紧张。加之与日...
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ICS 81.040.30Q 35备案号34410--2012 】C中华人民共和国建材行业标准JC/T 2066--201 1太阳能电池硅片用石英玻璃扩散管Quartz glass diffusion tubes for silicon for solar cell201 11220发布 201 2
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江苏林洋新能源有限公司 文件编号 SF/03-GY-017-18 版本状态 C/2 文件名称 扩散工艺处理规范 页 码 1/3 编制 / 日期 审核 / 日期 批准 / 日期1.目的规范扩散工艺人员处理问题的标准和方法,确保工艺控制的统一管理。2.适用范围适用于扩散工艺人员。3.职责本工艺规...
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47Photovoltaics International林景熙 1、龙健华 1、陈永芳 2, 3、戴煜暐 2、徐伟智 11工业技术研究院绿能所,新竹县竹东镇中兴路 4段 195号 78馆 402室, 310 台湾 2新日光能源科技股份有限公司,新竹市科学工业园区力行三路7号, 300 台湾 3国立
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