硅片加工

硅片加工技术1. 硅的主要性质 原子序数 14、 现对原子质量 08.28 、 晶体结构 金刚石结构、 熔点℃1420 、颜色银白色。2. 硅片按生产工艺分为切割片、研磨片、化腐片和抛光片。3. 硅片加工第一道工序定向、滚磨开方。4. 滚磨开方的设备单晶切方滚磨机、带锯、线锯。5. 硅单晶主参考面方位的确定方法光图定向法和晶棱连线法。6. 硅单晶定向切割可分为多线切割和内圆切割。7. 硅片的研磨方式有单面研磨和双面研磨。8. 硅片抛光的方法分为 机械抛光、 化学抛光、 化学机械抛光、最常用的方法是化学机械抛光。9. 吸附分为化学吸附和物理吸附。10. 环境洁净度等级标准美国联邦标准。11. 硅片表面污染类型有机杂质玷污、颗粒类杂质玷污和金属杂质玷污。12. 化学试剂按纯度分为优级纯、分析纯、化学纯。13. 超声波清洗系统的组成超声波电源、清洗槽和换能器。14. 纯水制备系统的组成预处理系统、初级处理系统和精处理系统。15. 硅片电学参数导电类型、电阻率、电阻率变化及电阻率条纹。16. 硅晶体两种切割工艺比较内圆切割内圆刀片、一片一片切割、刀缝 m350280 、品种变换简单方便、灵活，风险低、效率低、原料损耗高、硅片体型变大、加工参数一致性差。线切割钢丝切割线、整锭同时切割、线缝 m220180 、效率高、原料损耗小、硅片体型变小、加工参数一致性好、风险高。17. 硅单晶内圆切割与多线切割的工艺过程内圆切割送清洗冲洗与去胶上机切割定向与校对粘结准备工作 。多线切割送清洗冲洗去胶上机切割系统调整粘结定向准备工作 。18. 磨削液的作用冷却、排渣、润滑、防锈。19. 研磨工艺过程送清洗研磨设置修盘配置研磨液硅片厚度分选 。20. 研磨前为什么要进行厚度分选答经切割的硅片厚度较分散，为使研磨后的硅片厚度较一致，并且总厚度变化 TTV 小，需要对切割后的硅片进行厚度分选，将厚度一致的硅片放在同盘进行研磨。21. 硅边缘倒角的目的、形状、工艺过程。答硅片倒角的目的为了有效的释放内部应力、以减少后续的加工损伤；倒角形状圆弧形、梯形；工艺过程 结束工作自动磨削校准调整准备工作 。22. 硅片热处理的作用、范围、工艺条件、步骤。答作用消除氧的施主效应；释放应力；范围直拉非重掺硅片；工艺条件温度 ℃650 左右；时间 min4030 。步骤 结束工作出炉恒温入炉装片准备工作 。23. 硅片化学减薄的作用与意义、方法、工艺过程答作用与意义使硅片表面洁净；提高抛光效率；消除硅片内应力；方法酸腐蚀、碱腐蚀；工艺过程 送检冲洗甩干化学腐蚀硅片厚度分选准备工作 。24. 抛光布垫技术要求、作用及存放。答技术要求质地柔软；吸水量大；耐磨、耐化学腐蚀。作用存储及运输抛光液；存放环境要求环境温度 ℃2410 ；相对湿度 50 左右；洁净等级 10000 级。平放存储；避免过期存放而变质失效。25. 硅片抛光方式，工艺过程。答方式碱性二氧化硅抛光；工艺过程 结束工作取片精抛粗抛粘片厚度分选抛前准备 。26. 碱性二氧化硅抛光方法与原理。答碱对硅的腐蚀反应；胶粒见的吸附作用；抛光衬垫与硅片的机械摩擦作用；碱的络合作用。27. 抛光速率的影响因素。答抛光压力在其他条件不变时，随着压力的提高，抛光速率也随之上升，但在实际生产中，当压力到达临界点时，若继续提高压力，抛光效率不但不会弄上升，反而会下降。抛光温度温度越高，化学反应速率越快，抛光速率越高；PH 值抛光速率与 PH 值成指数函数关系，提高 PH 值，可以加快硅片与抛光液的化学反应速率，提高抛光速率；硅片晶体结构 不同型号、 不同晶向及不同电阻率的硅片， 其面密度及原子、 结合力都不同，因此抛光过程中的化学腐蚀速率有所不同；摩擦力 f ， 为摩擦系数， 为抛光压力。28. 抛光前为什么要进行厚度分选答为了保证抛光后硅片的几何特性，需进行厚度分选，然后分档装片加工。29. 硅片切割片、研磨片、抛光片清洗过程。答切割片 结束工作甩干超声波清洗去除胶粘结剂和石墨准备过程 。研磨片 结束工作甩干超声波清洗浸泡粗洗准备工作 F 。抛光片 结束工作送检（二）清洗送检（一）去蜡准备工作 。30. 硅片检验的内容、方法、意义。答内容电学参数、结晶学参数、几何参数和表面洁净度参数；方法接触式和非接触式；意义预防，把关。31. 硅片检验的环境条件答环境温度 ℃℃ 523相对湿度 65电源 VV 10220 和 VV 20380 ， 50 交流电；环境洁净度 10000100 级光源高强度狭束光源离光源 mm100 处光照度 uxl216 ；大面积散射光源检测面上光照度为 lux630430 。32. 当你领到一批硅片时，应如何实施研磨。答 倒角