多晶硅片检测标准

多晶硅片技术标准1 范围1.1 本要求规定了多晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等1.2 本要求适用于多晶硅片的采购及其检验。2 规范性引用文件2.1 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法2.2 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法2.3 ASTM F 1535 用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的试验方法3 术语和定义3.1 TV 硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况；3.2 TTV 总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片5 点厚度边缘上下左右 4 点和中心点） ；3.4 崩边晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出；3.5 裂纹、裂痕延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；3.6 垂直度硅片相邻两边与标准 90相比较的差值。3.7 密集型线痕每 1cm上可视线痕的条数超过 5 条4 分类多晶硅片的等级有 A级品和 B级品，规格有 125 125； 156 156； 210 210。5 技术要求5.1 外观5.1.1 无孪晶、隐裂、裂痕、裂纹、孔洞、缺角、 V形（ 锐形）缺口，崩边、缺口长度≤ 0.5mm，深度≤ 0.3mm，且每片不得超出 2 个；5.1.2 表面需清洗干净，无可见斑点、玷污及化学残留物；5.1.3 硅片表面局部凹凸不平深度（如表面划痕、凹坑、台阶等）≤ 20μ m，切割线痕深度≤ 20μ m；当在硅片正反两面的同一个位置出现线痕加和小于 20um。无密集型线痕。5.1.4 弯曲度≤ 30μ m， ，翘曲度≤ 30μ m；5.1.5 切片前的棒 / 锭要经化学腐蚀或机械抛光去除损伤层，即切完的硅片边沿是光亮的。5.2 外形尺寸5.2.1 标称厚度系列为 200 20μ m； 220 20μ m； 240 20μ m；对于每单合同需要明确规定标称厚度。5.2.2 200 μ m厚度以上硅片 TV 20μ m， 160μ m、 180μ m厚度硅片 TV 15μ m。例如对于 200μ m的标称厚度，抽测中心点厚度必须在 180μ m～ 220μ m之间 , 其他类推；5.2.3 一批硅片厚度必须符合 190μ m；5.2.4 200 μ m 厚度以上硅片 TTV以五点测量法为准， 同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的 15。5.2.5 其他尺寸要求见表 1。5.2.6 相邻边的垂直度 90 o 0.3 o。5.3 材料性质5.3.1 导电类型 P型，掺杂剂硼（ Boron）5.3.2 硅片电阻率掺硼多晶硅片目标电率为 2Ω 2 cm ，可接收电阻率为 1Ω 2 cm～ 3Ω 2 cm，单片电阻率不均匀性 190μ m；5.2.4 200 μ m 厚度以上硅片 TTV以五点测量法为准， 同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的 15。5.2.5 其他尺寸要求见表 1。5.2.6 相邻边的垂直度 90 o 0.3 o。5.3 材料性质5.3.1 导电类型 P型，掺杂剂硼（ Boron）5.3.2 硅片电阻率掺硼多晶硅片目标电率为 2Ω 2 cm ，可接收电阻率为 1Ω 2 cm～ 3Ω 2 cm，单片电阻率不均匀性 15（测试位置为硅片中心点与四个角上距离两边 1cm的四个点）5.3.3 硅棒少子寿命≥ 2us （此寿命为硅棒切片前的少子寿命） ；5.3.4 氧碳含量氧含量≤ 1 1018atoms/cm3，碳含量≤ 5 1016atoms/cm3。5.3.5 光致衰减 由于硅材料中过量的氧和硼元素形成的复合体会导致太阳能电池的效率衰减， 所以我们将以电池的效率衰减作为衡量材料性能的指标之一。 我们确定以 1的相对电池效率衰减作为判定材料性能的标准。电池片在 25℃的室温中，光强不低于 800W/m2，光照 5 小时（光照过程中电池温度不超过 80℃） ，大于 2.5的相对效率衰减将被认为硅材料性能不合格所致。附 录 A 检 验 项 目 、 检 验 方 法 及 检 验 规 则 对 照 表检验项目 检验要求检测工具抽样计划硅 片 等 级A 级品 B 级品外观崩边∕缺口长≤ 0.5mm深≤ 0.3mm数量≤ 2 个长≤ 1mm深≤ 1mm数量≤ 2 个检测灯光照度1000LUX）全检表面粗糙度 ≤ 20μ m ≤ 20μ m 切割线痕 ≤ 20μ m， 无密集线痕 ≤ 30μ m，无密集线痕凹 坑直 径 ＜ 0.5mm ≤20μ m ≤ 30μ m 裂痕∕鸦爪 无 无孔 洞 无 无表面清洁度 表面无可见花斑、油污、污迹和化学药剂残留尺寸规格（㎜）尺寸游标卡尺 边长、 直径、倒角差 万能角规 垂直度 边长（㎜）垂直变化度（㎜）垂直度（ O）Max Min ＜ 0.6 1253 125 125.5 124.5 90 0.5 1563 156 156.5 155.5 90 0.5 TV 20μ m 30μ m 厚 度 计 /千分表TTV ≤ 30μ m ≤ 40 μ m 翘曲度、 弯曲度 ≤ 30μ m ≤ 50 μ m 随机抽查供方提供电型号 P 型 P 型 极性仪电阻率 1Ω .cm -3 Ω .cm 1Ω .cm -3 Ω .cm电阻率测试仪氧含量碳含量 ≤ 1 3 1018 atoms/cm 3 氧碳含量性能碳含量 ≤ 5 3 1016 atoms/cm 3 测试仪 每批硅片的检测报告少子寿命 ≥ 2 μ s 少子寿命测 试仪