单晶硅片制作流程

单晶硅片制作流程生产工艺流程具体介绍如下固定将单晶硅棒固定在加工台上。切片将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。退火双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至 300500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。倒角将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生， 增加磊晶层及光阻层的平坦度。 此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。分档检测为保证硅片的规格和质量，对其进行检测。此处会产生废品。 研磨 用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、 平坦度与平行度， 达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片剂。清洗通过有机溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。此工序产生有机废气和废有机溶剂。RCA清洗通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。SPM清洗用 H2SO4溶液和 H2O2溶液按比例配成 SPM溶液， SPM溶液具有很强的氧化能力， 可将金属氧化后溶于清洗液， 并将有机污染物氧化成 CO2和 H2O。 用 SPM清洗硅片可去除硅片表面的有机污物和部分金属。此工序会产生硫酸雾和废硫酸。DHF清洗用一定浓度的氢氟酸去除硅片表面的自然氧化膜，而附着在自然氧化膜上的金属也被溶解到清洗液中， 同时 DHF抑制了氧化膜的形成。此过程产生氟化氢和废氢氟酸。APM清洗 APM溶液由一定比例的 NH4OH溶液、 H2O2溶液组成，硅片表面由于 H2O2氧化作用生成氧化膜（约 6nm呈亲水性），该氧化膜又被 NH4OH腐蚀， 腐蚀后立即又发生氧化， 氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒和金属也随腐蚀层而落入清洗液内。 此处产生氨气和废氨水。HPM清洗由 HCl 溶液和 H2O2溶液按一定比例组成的 HPM，用于去除硅表面的钠、 铁、 镁和锌等金属污染物。 此工序产生氯化氢和废盐酸。DHF清洗去除上一道工序在硅表面产生的氧化膜。磨片检测检测经过研磨、 RCA清洗后的硅片的质量，不符合要求的则从新进行研磨和 RCA清洗。腐蚀 A/B经切片及研磨等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的损伤层， 通常采用化学腐蚀去除。 腐蚀 A 是酸性腐蚀， 用混酸溶液去除损伤层，产生氟化氢、 NOX和废混酸；腐蚀 B 是碱性腐蚀，用氢氧化钠溶液去除损伤层， 产生废碱液。 本项目一部分硅片采用腐蚀 A，一部分采用腐蚀 B。分档监测 对硅片进行损伤检测， 存在损伤的硅片重新进行腐蚀。粗抛光使用一次研磨剂去除损伤层，一般去除量在 1020um。此处产生粗抛废液。精抛光使用精磨剂改善硅片表面的微粗糙程度，一般去除量 1 um以下，从而的到高平坦度硅片。产生精抛废液。检测检查硅片是否符合要求，如不符合则从新进行抛光或 RCA清洗。检测查看硅片表面是否清洁，表面如不清洁则从新刷洗，直至清洁。包装将单晶硅抛光片进行包装。