单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片工艺流程(20180723093542)

加工流程单晶生长→切断→外径滚磨→平边或 V型槽处理→切片倒角→研磨 腐蚀 -- 抛光→清洗→包装切断目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度，切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量。切断的设备内园切割机或外园切割机切断用主要进口材料刀片外径磨削由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径滚磨可以获得较为精确的直径。外径滚磨的设备磨床平边或 V 型槽处理指方位及指定加工，用以单晶硅捧上的特定结晶方向平边或 V型。处理的设备磨床及 X－ RAY绕射仪。切片指将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶片。切片的设备内园切割机或线切割机倒角指将切割成的晶片税利边修整成圆弧形，防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。倒角的主要设备倒角机研磨指通过研磨能除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。研磨的设备研磨机（双面研磨）主要原料研磨浆料（主要成份为氧化铝，铬砂，水），滑浮液。腐蚀指经切片及研磨等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的损伤层，通常采用化学腐蚀去除。腐蚀的方式（ A）酸性腐蚀，是最普遍被采用的。酸性腐蚀液由硝酸（ HNO3），氢氟酸（ HF），及一些缓冲酸（ CH3COCH， H3PO4）组成。（ B）碱性腐蚀，碱性腐蚀液由 KOH或 NaOH加纯水组成。抛光指单晶硅片表面需要改善微缺陷，从而获得高平坦度晶片的抛光。抛光的设备多片式抛光机，单片式抛光机。抛光的方式粗抛主要作用去除损伤层，一般去除量约在 10－ 20um；精抛主要作用改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量 1um以下主要原料抛光液由具有 SiO2 的微细悬硅酸胶及 NaOH（或 KOH或 NH4OH）组成，分为粗抛浆和精抛浆。清洗在单晶硅片加工过程中很多步骤需要用到清洗，这里的清洗主要是抛光后的最终清洗。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。清洗的方式主要是传统的 RCA湿式化学洗净技术。主要原料 H2SO4， H2O2， HF， NH4HOH， HCL （ 3）损耗产生的原因A.多晶硅 -- 单晶硅棒多晶硅加工成单晶硅棒过程中如产生损耗是重掺埚底料、头尾料则无法再利用，只能当成冶金行业如炼铁、炼铝等用作添加剂；如产生损耗是非重掺埚底料、头尾料可利用制成低档次的硅产品，此部分应按边角料征税。重掺料是指将多晶硅原料及接近饱和量的杂质（种类有硼，磷，锑，砷。杂质的种类依电阻的 N 或 P 型）放入石英坩埚内溶化而成的料。重掺料主要用于生产低电阻率（电阻率＜ 0.011 欧姆／厘米）的硅片。损耗单晶拉制完毕后的埚底料约 15％。单晶硅棒整形过程中的头尾料约 20％。单晶整形过程中（外径磨削工序）由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径磨削可以获得较为精确的直径。损耗约 10％ -13 ％。例4英寸 5 英寸标称直径 100mm 125mm 拉晶直径 106mm 131mm 磨削损耗 12.36 9.83 拉制参考损耗 0.70 0.80 合计损耗 13.06 10.63 此外，由于单晶硅的电阻率范围、电阻率均匀性、杂质种类、缺陷状态等参数在不同客户的要求下，都会对成品的实收率有影响，即使是同一规格的产品，不同厂家生产该产品的合格率也会不同。一般来讲，由于晶体质量原因造成的损耗率为 7． 5％。从多晶硅 -- 单晶硅棒总损耗率 4 英寸约为 45． 3％5 英寸约为 43． 8％B、单晶硅棒 -- 单晶硅抛光片单晶硅棒加工成单晶硅抛光片过程中损耗主要在切片工序，如采用内园切割机在切割过程中由于刀片的研磨及切片过程中刀片的摆动造成。此间的损耗约 34％ -35％，因此刀片质量是关键，刀片越薄损耗越小。例4英寸 5 英寸切片刀厚 310-25 380-25 硅片厚度 650 750 损耗率 34 35 其他工序的净损耗从切片到最终抛光，此间损耗约 16.67-19.23 。例4英寸 5 英寸切片厚度 650 750 抛光厚度 525 625 损耗率 19.23 16.67 从单晶硅棒到抛光片的损耗还包括切片过程中的崩边、裂缝，磨片过程中的碎片和缺口，碱腐蚀过程中的沾污、花斑，抛光等过程中的碎片划伤造成的损耗，具体如下切片 5％、倒角 1％、磨片 5％、腐蚀 2％、退火 2％、抛光 5％、清洗 2％，此间损耗率约 20％从单晶硅棒 -- 单晶硅抛光片的总损耗率 4 英寸约为 57． 4％5 英寸约为 56.7 ％