晶体硅太阳能电池的制造工艺流程

https//pvsolar.taobao.com/ PV光伏工厂店 联系方式 18838903270 （微信同号） QQ 1058999501 郭先生 提高太阳能电池的转换效率和降低成本是太阳能电池技术发展的主流。 晶体硅太阳能电池的制造工艺流程说明如下 （ 1） 切片采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。 （ 2） 清洗用常规的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或碱）溶液将硅片表面切割损伤层除 去 30－ 50um。 （ 3） 制备绒面用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。 （ 4） 磷扩散采用涂布源（或液态源，或固态氮化磷片状源）进行扩散，制成 PN＋结， 结深一般为 0.3－ 0.5um。 （ 5） 周边刻蚀扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池 上下电极短路，用掩蔽湿 法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。 （ 6） 去除背面 PN＋结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面 PN＋结。 （ 7） 制作上下电极用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极，然后 制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。 （ 8） 制作减反射膜为了减少入反射损失，要在硅片表面上覆盖一层减反射膜。制作减反 射膜的材料有 MgF2 ， SiO2 ， Al2O3 ， SiO ， Si3N4 ， TiO2 ， Ta2O5 等。工艺方法可用真 空 镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、 PECVD法或喷涂法等。 （ 9） 烧结将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。 （ 10）测试分档按规定参数规范，测试分类。 由此可见，太阳能电池芯片的制造采用的工艺方法与半导体器件基本相同，生产的工艺设备 也基本相同，但工艺加工精度远低于集成电路芯片的制造要求，这为太阳能电池的规模生产 提供了有利条件。 https//pvsolar.taobao.com/ PV 光伏工厂店