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2012年春-晶硅电池试题一

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2012年春-晶硅电池试题一

晶体硅太阳电池生产技术考试时间 90 分钟 考试方式闭卷一、填空 (共 17 题,每空 0.5 分,共 20 分,将答案写在横线上)1. 光伏系统是将 转化为 的太阳能发电系统。2. 太阳能级多晶硅的纯度要求远不及电子级多晶硅, 一般认为 个 9 就可以满足要求。3. 晶体硅太阳电池生产流程为 、扩散、后清洗、 、 、测试、分选包装。4. 硅片在切割的过程中所造成的损伤层约 __ 。5. 扩散工艺是在硅片的一面通过扩散磷来形成 P-N 结,采用 作为扩散源,提供磷原子。磷扩散的扩散机制是 。6. 写出镀减反射膜的反应方程式 。7. 进入车间须穿 、 、 、 头发长的要将其放入帽子或衣服中。8. 扩散过程中应用气体有 ____ __ 、 ___ ___ 、 ____ ___ 9. 检测方块电阻用到 ____ ___仪器,测试时扩散面向 ____ __。10. 扩散方块电阻不均匀度 ___ ___,同一硅片扩散方块电阻不均匀度 ____ __。11. PECVD 用 仪器来检测其质量的好坏。12. Si3N 4 膜的颜色随着它的厚度的变化而变化,表面呈现的理想颜色是 。13. 丝网印刷线从前到后依次印刷 、 和 ;14. 烧结的目的15. 烧结炉分为 、 、 、 四个阶段16. 标准测试条件要求光强 、温度 、光谱分布 。17. 太阳电池 I-V 测试参数有 (写出 6 个) 、 、 、 、、 、 。二、选择题 (共 15 题,每题 2 分,共 30 分)1、清洗车间所涉及的化学品有( ) 。A 氢氧化钠 B 氢氟酸 C 盐酸 D 硝酸2、磷硅玻璃是由( )组成。A CF4 B SiO 2 C 磷 D SiF43、刻蚀工艺会影响电池片的哪项电性能( )晶体硅太阳电池生产技术A 并联电阻 B 开路电压 C 短路电流 D 串联电阻4、下列方程式中属于刻蚀工艺的是( )A SiF42HF→H 2[SiF 6] B CF4SiO 2→ SiF4CO 2↑C CF4SiO 2 O2→ SiF4CO 2↑ D SiO24HF→ SiF 42H 2O 5、单晶绒面呈( )形。A 三角形 B 金字塔形 C 圆形 D 正方形6、扩散洁净度要求是 ______。A 10 万级 B 100 万级 C 1 万级 D 1000 万级7、方块电阻测试 ______个点。A 4 B 3 C 5 D 6 8、硅片扩散工艺结束后应抽取 ______片来检测。A 5 B 6 C 3 D 4 9、 POCl 3 是一种 _____液体。A 白色 B 红色 C 浮白色 D 无色10、制备减反射膜的化学式是。 ( )A、 3SiH 44NH 3Si 3N 412H2 B、 CF4SiO 2SiF 4CO 2C. SiNaOHNa 2SiO3H 2 D. H 2O2H 2O 11、电池片镀膜的厚度是利用光学中的 原理来减少反射。 ( )A、光程差 B、相长干涉C、相消干涉 D、光的衍射12、电池片 SiNx H 薄膜镀膜厚度和折射率一般控制在( ) 。A、 65nm, 1.8-1.9 B、 75 5nm, 2.0-2.1 C.、 85 5nm, 2.2-2.3 D、 50-60nm, 2.5-2.6 13、手接触化学品或化学品容器时有什么要求( )A、戴一次性手套 B、戴纯棉手套C、戴防酸碱手套 D、裸手直接接触14、后清洗(去磷硅玻璃)的目的是什么( )A 、去除金属离子 B、去除硅片表面机械损伤层C、去除刻蚀腐蚀的表面痕迹 D 、去除硅片表面含有磷原子的 SiO2 层15、少子寿命的概念是( ) 。晶体硅太阳电池生产技术A、少数载流子受激发从产生到复合的时间,单位为微秒。B、少数载流子受激发从产生到复合的时间,单位为毫秒。C、少数载流子受激发从产生到复合的时间,单位为秒。D、少数载流子受激发从产生到复合的时间,单位为分钟。三、判断 (共 15 题,每题 1 分,共 15 分)1、太阳能是一种清洁的不可再生能源。 ( )2、扩散过程中,硅片周边表面形成扩散层不会对电池片造成任何影响。 ( )3、刻蚀是采用物理或化学的方法无选择性的从半导体材料表面去除不需要材料的过程。( )4、丝网印刷中是用银铝浆料 .... 印刷背电场。 ( )5、在经过制绒后,就决定了硅片的正反面。 ( )6、在寒冷的天气下,电池片的转化效率会受到一定影响。 ( )7、每次更换网版、网版的位置、印刷压力以及刮板平行度要重新调整。 ( )8、印刷放片于平台时,尽量一次放置到位,不要将硅片在平台上摩擦。 ( )9、一旦正电极有漏印现象发生,应立即停止印刷,并查找原因(浆料太少、网孔堵塞) 。 ()10、正电极主栅线可以与背电极方向不一致。 ( )11、测量 PECVD 镀的膜厚用的四探针,测量方块电阻用的是椭偏仪。 ( )12、影响扩散方块电阻的因素有温度、时间和流量。 ( )13、丝网印刷是把带有图像或图案的模版被附着在丝网上进行印刷的。 ( )14、目数的定义单位面积(英寸或 cm)上丝网孔的数量。 ( )15、 制造一个 PN 结是把两块不同类型 ( P 型和 N 型) 的半导体接触在一起就能形成的。 ( )四、连线题( 10 分)1、英文连线( 5 分)PECVD 异丙醇Printing speed 制绒Pressure 等离子增强气相沉积法Texture 压力IPA 印刷速度2、警示符号连线( 5 分)当心腐蚀性化学试剂 小心触电 当心夹手 当心齿轮夹手 小心高温晶体硅太阳电池生产技术五、简答(共 3 题,每题 5 分,共 15 分)1、简述硅片检验主要参数。2、简述制绒的目的。3、分别写出丝网印刷背极、背场、正极的目的、作用和使用的浆料以及烘箱的作用六、案例分析(共 2 题,每题 5 分,共 10 分)1、在丝网印刷过程中,在印刷背电极的时候,背电极的印刷图案有两种,请比较这两种背电极优缺点。图 1图 22、操作过程中源瓶一旦破裂,三氯氧磷泄漏出来,操作人员应该立即处理现场。请找出这句话的错误之处,并给出正解。

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